대법원 94후685 (1995.12.26)

발명의 진보성이 인정된다고 본 사례

【출원인, 상고인】 가부시기가이샤 ○○○ (소송대리인 법무법인 중앙국제법률특허사무소 담당변호사 최형구 외 3인)

【상대방, 피상고인】 특허청장

【원 심 결】 특허청 1994. 2. 28. 자 92항원895 심결

【주 문】

원심결을 파기하고, 사건을 특허청 항고심판소에 환송한다.

【이 유】 상고이유를 판단한다.

원심결 이유에 의하면 원심은 인용발명(일본 특허청 1983. 8. 1.자 공개특허공보 昭 58-128780호 터널 접합형 조셉션 소자, 이하 같다)에서 초전도층(17)이 실리콘산화물(14)과 직접 접촉하지 않도록 질화실리콘막(15)을 개재시키는 구성과 질화실리콘으로 되는 층(16)은 높은 절연성을 가진다고 하는 기술은, 질화물을 절연물질로 사용하여 높은 절연성을 얻도록 한다는 구성을 갖는 본원발명과 유사하므로, 본원발명은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 인용발명으로부터 용이하게 발명할 수 있는 것이어서 그 등록을 거절한 원사정은 정당하다고 하였다.

그런데 기록에 의하여 본원발명과 인용발명을 대비하여 보면 본원발명은 초전도다층 구조를 갖는 전기회로 및 그 제작에 관한 것으로서, 반도체 접속 도선으로서 박막형태의 산화 초전도체를 사용하면서도 실리콘산화물이 산화 초전도체 물질과 직접 접촉하는 경우 반도체 소자에서 발생된 열로 인한 신뢰도 강하 및 가열된 부분에서의 작동속도 감소 등 초전도체 특성에 부정적인 영향을 미치는 것을 방지하기 위하여 반도체기판 또는 위 초전도체들 사이에 산화물이 아닌 실리콘질화물로 절연막을 형성함으로써 초전도체 특성의 개량을 추구하는 것이고, 한편 인용발명은 터널접합형 조셉션소자의 개량에 관한 것으로서 절연층 그 자체는 실리콘산화물로 하고, 그 위에 다시 질화실리콘을 입혀서 장벽층을 만들어서 이 장벽층으로 하여금 제1초전도체와 제2초전도체가 서로 맞닿지 않게 함으로써 높은 절연효과를 얻고자 하는 것인바, 본원발명은 초전도체 특성에 부정적인 영향을 미치는 산화물의 접촉을 방지하는 것을 직접적인 목적으로 하는 것이고, 인용발명은 반도체기판과 초전도체 사이의 절연목적이 아니라 그 기판 위에 있는 제1초전도체와 그 위의 제2초전도체가 서로 맞닿지 않도록 하여 그 사이의 절연효과를 얻는 것이므로, 양 발명은 그 직접적인 목적이 서로 다르며, 한편 인용발명에서는 실리콘기판과 제1초전도체 사이에는 절연물질이 없으며, 그 절연층 자체는 실리콘산화물이고 그 위에 질화실리콘으로 장벽층을 형성하는 것인 데 반하여 본원발명은 실리콘기판과 초전도체 사이 및 초전도체들 사이에 모두 절연층을 형성하고 그 절연층 자체를 실리콘질화물로 하는 것이며, 본원발명의 경우 위 절연막으로는 전류가 흐르지 못하게 되는 반면, 인용발명에서는 일정한 전압 이상이 되면 그 장벽층에도 불구하고 전류가 흐르게 되므로 이러한 점에서도 양 발명은 서로 다르다 할 것이므로, 결국 양 발명은 그 추구하는 목적이나 기술적 구성, 작용 효과가 서로 달라 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 인용발명으로부터 본원발명을 용이하게 추고할 수는 없다 할 것인데도 불구하고, 원심은 이 점에 관하여 제대로 심리를 하지 아니한 채 출원발명이 인용발명으로부터 용이하게 발명할 수 있는 것이라고 판단하고 말았으니, 그러한 원심결에는 발명의 진보성 판단에 관한 법리를 오해하였거나 심리를 다하지 아니함으로써 심결결과에 영향을 미친 위법을 저지른 것이라고 할 것이므로, 이 점을 지적하는 논지는 이유 있다.

그러므로 원심결을 파기하고, 사건을 다시 심리 판단하게 하기 위하여 특허청 항고심판소에 환송하기로 하여 관여 법관의 일치된 의견으로 주문과 같이 판결한다.

대법관 김석수(재판장) 정귀호 이돈희(주심) 이임수